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STF21N65M5
-
STMicroelectronics
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-220-3 Full Pack
- STMICROELECTRONICS STF21N65M5 Power MOSFET, N Channel, 17 A, 650 V, 0.15 ohm, 10 V, 4 V
Date Sheet
在庫數 19950
- 1+： $4.47903
- 10+： $4.22550
- 100+： $3.98632
- 500+： $3.76068
- 1000+： $3.54781
小計金額 $4.47903
仕様 よくある質問
- Factory Lead Time：17 Weeks
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-220-3 Full Pack
- Number of Pins：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：30W Tc
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：5V @ 250μA
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：17A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Operating Temperature：150°C TJ
- Packaging：Tube
- Series：MDmesh™ V
- JESD-609 Code：e3
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Matte Tin (Sn) - annealed
- Base Part Number：STF21
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：30W
- Case Connection：ISOLATED
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：190m Ω @ 8.5A, 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：1950pF @ 100V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：50nC @ 10V
- Vgs (Max)：±25V
- Continuous Drain Current (ID)：17A
- Threshold Voltage：4V
- JEDEC-95 Code：TO-220AB
- Gate to Source Voltage (Vgs)：25V
- Drain to Source Breakdown Voltage：650V
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：68A
- Avalanche Energy Rating (Eas)：400 mJ
- Width：4.6mm
- Height：16.4mm
- Length：10.4mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 19950
- 1+： $4.47903
- 10+： $4.22550
- 100+： $3.98632
- 500+： $3.76068
- 1000+： $3.54781
小計金額 $4.47903
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