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STD10P6F6
-
STMicroelectronics
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- MOSFET P CH 60V 10A DPAK
Date Sheet
在庫數 75789
- 1+： $1.23314
- 10+： $1.16334
- 100+： $1.09749
- 500+： $1.03537
- 1000+： $0.97676
小計金額 $1.23314
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Number of Pins：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：10A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：35W Tc
- Turn Off Delay Time：16.5 ns
- Operating Temperature：175°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Series：DeepGATE™, STripFET™ VI
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：2
- ECCN Code：EAR99
- Resistance：180MOhm
- Terminal Form：GULL WING
- Base Part Number：STD10
- JESD-30 Code：R-PSSO-G2
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：35W
- Case Connection：DRAIN
- FET Type：P-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：160m Ω @ 5A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：4V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：340pF @ 48V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：6.4nC @ 10V
- Rise Time：7ns
- Vgs (Max)：±20V
- Fall Time (Typ)：10 ns
- Continuous Drain Current (ID)：10A
- Threshold Voltage：-4V
- Gate to Source Voltage (Vgs)：20V
- Drain to Source Breakdown Voltage：60V
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：40A
- Avalanche Energy Rating (Eas)：80 mJ
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 75789
- 1+： $1.23314
- 10+： $1.16334
- 100+： $1.09749
- 500+： $1.03537
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