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FDD5N50TM-WS
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ON Semiconductor
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- MOSFET N-CH 500V 4A DPAK
Date Sheet
在庫數 360000
- 1+： $1.24458
- 10+： $1.17413
- 100+： $1.10767
- 500+： $1.04497
- 1000+： $0.98582
小計金額 $1.24458
仕様 よくある質問
- Factory Lead Time：8 Weeks
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Number of Pins：3
- Weight：260.37mg
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：4A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：40W Tc
- Turn Off Delay Time：28 ns
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：5V @ 250μA
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Series：UniFET™
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：2
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Terminal Form：GULL WING
- JESD-30 Code：R-PSSO-G2
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：40W
- Case Connection：DRAIN
- Turn On Delay Time：13 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：1.4 Ω @ 2A, 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：640pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：15nC @ 10V
- Rise Time：22ns
- Vgs (Max)：±30V
- Fall Time (Typ)：20 ns
- Continuous Drain Current (ID)：4A
- JEDEC-95 Code：TO-252AA
- Gate to Source Voltage (Vgs)：30V
- Drain Current-Max (Abs) (ID)：4A
- Drain to Source Breakdown Voltage：500V
- Avalanche Energy Rating (Eas)：256 mJ
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
在庫數 360000
- 1+： $1.24458
- 10+： $1.17413
- 100+： $1.10767
- 500+： $1.04497
- 1000+： $0.98582
小計金額 $1.24458
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