日本語
人気検索：
(0)
画像はあくまで参考です。
STP6N120K3
-
STMicroelectronics
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-220-3
- MOSFET N-CH 1200V 6A TO-220
Date Sheet
在庫數 110
- 1+： $12.05032
- 10+： $11.36822
- 100+： $10.72474
- 500+： $10.11768
- 1000+： $9.54498
小計金額 $12.05032
仕様 よくある質問
- Contact Plating：Tin
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-220-3
- Number of Pins：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：6A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：150W Tc
- Turn Off Delay Time：58 ns
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：5V @ 100μA
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tube
- Series：SuperMESH3™
- JESD-609 Code：e3
- Part Status：Obsolete
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Resistance：1.95Ohm
- Base Part Number：STP6N
- Number of Channels：1
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：150W
- Turn On Delay Time：30 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：2.4 Ω @ 2.5A, 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：1050pF @ 100V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：34nC @ 10V
- Rise Time：12ns
- Drain to Source Voltage (Vdss)：1200V
- Vgs (Max)：±30V
- Fall Time (Typ)：32 ns
- Continuous Drain Current (ID)：6A
- Threshold Voltage：4V
- JEDEC-95 Code：TO-220AB
- Gate to Source Voltage (Vgs)：30V
- Drain Current-Max (Abs) (ID)：6A
- Drain to Source Breakdown Voltage：1.2kV
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：20A
- Max Junction Temperature (Tj)：150°C
- Nominal Vgs：4 V
- Height：19.68mm
- Length：10.4mm
- Width：4.6mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 110
- 1+： $12.05032
- 10+： $11.36822
- 100+： $10.72474
- 500+： $10.11768
- 1000+： $9.54498
小計金額 $12.05032
類似スペック製品
サポートセンター
購入サービス
プライバシーと規約
Kynix について
お問合せ
