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STK820
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STMicroelectronics
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- PolarPak®
- Trans MOSFET N-CH 25V 21A 10-Pin PolarPAK T/R
Date Sheet
在庫數 9000
- 1+： $1.20402
- 10+： $1.13587
- 100+： $1.07157
- 500+： $1.01092
- 1000+： $0.95370
小計金額 $1.20402
仕様 よくある質問
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：PolarPak®
- Number of Pins：10
- Transistor Element Material：SILICON
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：5.2W Ta
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：21A Ta
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V 10V
- Turn Off Delay Time：17 ns
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：2.5V @ 250μA
- Operating Temperature：150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Series：STripFET™
- JESD-609 Code：e3
- Part Status：Obsolete
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：4
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：MATTE TIN
- Additional Feature：ULTRA-LOW RESISTANCE
- Terminal Position：DUAL
- Terminal Form：NO LEAD
- Base Part Number：STK8
- JESD-30 Code：R-XDSO-N4
- Qualification Status：Not Qualified
- Configuration：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：5.2W
- Case Connection：SOURCE
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：7.3m Ω @ 10.5A, 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：1425pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：9.5nC @ 4.5V
- Rise Time：23ns
- Vgs (Max)：±16V
- Fall Time (Typ)：4 ns
- Continuous Drain Current (ID)：21A
- Gate to Source Voltage (Vgs)：16V
- Drain-source On Resistance-Max：0.008Ohm
- Drain to Source Breakdown Voltage：25V
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：84A
- Avalanche Energy Rating (Eas)：600 mJ
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
在庫數 9000
- 1+： $1.20402
- 10+： $1.13587
- 100+： $1.07157
- 500+： $1.01092
- 1000+： $0.95370
小計金額 $1.20402
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