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画像はあくまで参考です。
FCPF20N60
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ON Semiconductor
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-220-3 Full Pack
- MOSFET N-CH 600V 20A TO220F
Date Sheet
在庫數 3
- 1+： $9.24901
- 10+： $8.72548
- 100+： $8.23159
- 500+： $7.76565
- 1000+： $7.32608
小計金額 $9.24901
仕様 よくある質問
- Factory Lead Time：13 Weeks
- Package / Case：TO-220-3 Full Pack
- Mounting Type：Through Hole
- Mount：Through Hole
- Contact Plating：Tin
- Number of Pins：3
- Weight：2.27g
- Transistor Element Material：SILICON
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：5V @ 250μA
- Turn Off Delay Time：230 ns
- Power Dissipation (Max)：39W Tc
- Number of Elements：1
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：20A Tc
- Series：SuperFET™
- Packaging：Tube
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Not For New Designs
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Resistance：190MOhm
- Voltage - Rated DC：600V
- Current Rating：20A
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：39W
- Case Connection：ISOLATED
- Turn On Delay Time：62 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：190m Ω @ 10A, 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：3080pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：98nC @ 10V
- Rise Time：140ns
- Vgs (Max)：±30V
- Fall Time (Typ)：65 ns
- Continuous Drain Current (ID)：20A
- Threshold Voltage：5V
- JEDEC-95 Code：TO-220AB
- Gate to Source Voltage (Vgs)：30V
- Drain to Source Breakdown Voltage：600V
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：60A
- Avalanche Energy Rating (Eas)：690 mJ
- Width：4.7mm
- Length：10.16mm
- Height：9.19mm
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Radiation Hardening：No
- REACH SVHC：No SVHC
- Lead Free：Lead Free
在庫數 3
- 1+： $9.24901
- 10+： $8.72548
- 100+： $8.23159
- 500+： $7.76565
- 1000+： $7.32608
小計金額 $9.24901
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