FQPF7P20

ON Semiconductor
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
TO-220-3 Full Pack
MOSFET P-CH 200V 5.2A TO-220F
Date Sheet

在庫數 50

1+： $4.00114
10+： $3.77466
100+： $3.56100
500+： $3.35943
1000+： $3.16928

小計金額 $4.00114

仕様よくある質問

Factory Lead Time：4 Weeks
Mount：Through Hole
Mounting Type：Through Hole
Package / Case：TO-220-3 Full Pack
Number of Pins：3
Weight：2.27g
Transistor Element Material：SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：5.2A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
Number of Elements：1
Power Dissipation (Max)：45W Tc
Turn Off Delay Time：30 ns
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：5V @ 250μA
Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
Packaging：Tube
Series：QFET®
Published：2013
JESD-609 Code：e3
Pbfree Code：yes
Part Status：ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
Number of Terminations：3
ECCN Code：EAR99
Terminal Finish：Tin (Sn)
Voltage - Rated DC：-200V
Current Rating：-5.2A
Element Configuration：Single
Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
Power Dissipation：45W
Case Connection：ISOLATED
Turn On Delay Time：15 ns
FET Type：P-Channel
Transistor Application：SWITCHING
Rds On (Max) @ Id, Vgs：690m Ω @ 2.6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：770pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：25nC @ 10V
Rise Time：110ns
Drain to Source Voltage (Vdss)：200V
Vgs (Max)：±30V
Fall Time (Typ)：42 ns
Continuous Drain Current (ID)：5.2A
Gate to Source Voltage (Vgs)：30V
Drain-source On Resistance-Max：0.69Ohm
Drain to Source Breakdown Voltage：-200V
Pulsed Drain Current-Max (IDM)：20.8A
Avalanche Energy Rating (Eas)：560 mJ
Height：16.07mm
Length：10.36mm
Width：4.9mm
Radiation Hardening：No
RoHS Status：ROHS3 Compliant
Lead Free：Lead Free

在庫數 50

1+： $4.00114
10+： $3.77466
100+： $3.56100
500+： $3.35943
1000+： $3.16928

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