STD1NK80ZT4

STMicroelectronics
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Trans MOSFET N-CH 800V 1A 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R
Date Sheet

在庫數 600

1+： $1.42843
10+： $1.34757
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500+： $1.19933
1000+： $1.13145

小計金額 $1.42843

仕様よくある質問

Factory Lead Time：12 Weeks
Mount：Surface Mount
Mounting Type：Surface Mount
Package / Case：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Number of Pins：3
Transistor Element Material：SILICON
Manufacturer Package Identifier：TO-252-P032P
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：1A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
Number of Elements：1
Power Dissipation (Max)：45W Tc
Turn Off Delay Time：22 ns
Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
Packaging：Tape & Reel (TR)
Series：SuperMESH™
JESD-609 Code：e3
Part Status：Active
Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
Number of Terminations：2
ECCN Code：EAR99
Resistance：16Ohm
Terminal Finish：Matte Tin (Sn) - annealed
Voltage - Rated DC：800V
Terminal Form：GULL WING
Peak Reflow Temperature (Cel)：260
Current Rating：1A
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：30
Base Part Number：STD1NK
Pin Count：3
JESD-30 Code：R-PSSO-G2
Number of Channels：1
Element Configuration：Single
Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
Power Dissipation：45W
Turn On Delay Time：8 ns
FET Type：N-Channel
Transistor Application：SWITCHING
Rds On (Max) @ Id, Vgs：16 Ω @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id：4.5V @ 50μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：160pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：7.7nC @ 10V
Rise Time：30ns
Vgs (Max)：±30V
Fall Time (Typ)：55 ns
Continuous Drain Current (ID)：1A
Threshold Voltage：3.75V
JEDEC-95 Code：TO-252AA
Gate to Source Voltage (Vgs)：30V
Drain Current-Max (Abs) (ID)：1A
Drain to Source Breakdown Voltage：800V
Pulsed Drain Current-Max (IDM)：5A
Avalanche Energy Rating (Eas)：50 mJ
Max Junction Temperature (Tj)：150°C
Height：2.4mm
Length：6.6mm
Width：6.2mm
REACH SVHC：No SVHC
Radiation Hardening：No
RoHS Status：ROHS3 Compliant
Lead Free：Lead Free

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