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STD8N80K5
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STMicroelectronics
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- MOSFET N CH 800V 6A DPAK
Date Sheet
在庫數 35000
- 1+： $3.40765
- 10+： $3.21477
- 100+： $3.03280
- 500+： $2.86113
- 1000+： $2.69918
小計金額 $3.40765
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
- Factory Lead Time：17 Weeks
- Contact Plating：Tin
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Number of Pins：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：6A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：110W Tc
- Turn Off Delay Time：32 ns
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Series：SuperMESH5™
- JESD-609 Code：e3
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：2
- ECCN Code：EAR99
- Resistance：950mOhm
- Terminal Form：GULL WING
- Base Part Number：STD8N
- JESD-30 Code：R-PSSO-G2
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：110W
- Case Connection：DRAIN
- Turn On Delay Time：12 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：950m Ω @ 3A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：5V @ 100μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：450pF @ 100V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：16.5nC @ 10V
- Rise Time：14ns
- Vgs (Max)：±30V
- Fall Time (Typ)：20 ns
- Continuous Drain Current (ID)：6A
- Gate to Source Voltage (Vgs)：30V
- Drain Current-Max (Abs) (ID)：6A
- Drain to Source Breakdown Voltage：800V
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：24A
- Height：2.4mm
- Length：6.6mm
- Width：6.2mm
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 35000
- 1+： $3.40765
- 10+： $3.21477
- 100+： $3.03280
- 500+： $2.86113
- 1000+： $2.69918
小計金額 $3.40765
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