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STI4N62K3
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STMicroelectronics
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
- MOSFET N-CH 620V 3.8A I2PAK
Date Sheet
在庫數 1000
- 1+： $1.59905
- 10+： $1.50854
- 100+： $1.42315
- 500+： $1.34260
- 1000+： $1.26660
小計金額 $1.59905
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
- Factory Lead Time：12 Weeks
- Contact Plating：Tin
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
- Number of Pins：3
- Weight：1.437803g
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：3.8A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：70W Tc
- Turn Off Delay Time：29 ns
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tube
- Series：SuperMESH3™
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Base Part Number：STI4N
- Pin Count：3
- Number of Channels：1
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Turn On Delay Time：10 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：2 Ω @ 1.9A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：4.5V @ 50μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：550pF @ 50V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：22nC @ 10V
- Rise Time：9ns
- Vgs (Max)：±30V
- Fall Time (Typ)：19 ns
- Continuous Drain Current (ID)：3.8A
- Threshold Voltage：3.75V
- Gate to Source Voltage (Vgs)：30V
- Drain to Source Breakdown Voltage：620V
- Nominal Vgs：3.75 V
- Height：10.75mm
- Length：10.4mm
- Width：4.6mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 1000
- 1+： $1.59905
- 10+： $1.50854
- 100+： $1.42315
- 500+： $1.34260
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小計金額 $1.59905
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