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画像はあくまで参考です。
STP14NF12
-
STMicroelectronics
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-220-3
- STMICROELECTRONICS STP14NF12 MOSFET Transistor, N Channel, 7 A, 120 V, 160 mohm, 10 V, 3 V
Date Sheet
在庫數 597
小計金額 $0.00000
仕様 よくある質問
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-220-3
- Number of Pins：3
- Weight：4.535924g
- Transistor Element Material：SILICON
- Power Dissipation (Max)：60W Tc
- Turn Off Delay Time：32 ns
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：4V @ 250μA
- Number of Elements：1
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：14A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Series：STripFET™ II
- Operating Temperature：-55°C~175°C TJ
- Packaging：Tube
- JESD-609 Code：e3
- Part Status：Obsolete
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Matte Tin (Sn)
- Base Part Number：STP14N
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：60W
- Case Connection：DRAIN
- Turn On Delay Time：16 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：180m Ω @ 7A, 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：460pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：21nC @ 10V
- Rise Time：25ns
- Vgs (Max)：±20V
- Fall Time (Typ)：8 ns
- Continuous Drain Current (ID)：7A
- Threshold Voltage：3V
- JEDEC-95 Code：TO-220AB
- Gate to Source Voltage (Vgs)：20V
- Drain to Source Breakdown Voltage：120V
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：56A
- Avalanche Energy Rating (Eas)：60 mJ
- Width：4.6mm
- Length：10.4mm
- Height：15.75mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
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